Samsung choisit une technologie de STMicroelectronics pour les objets connectés

La filière de puces en silicium sur isolant promue par STMicroelectronics obtient le renfort d’un nouvel acteur et pas des moindres : Samsung, numéro deux mondial des semi-conducteurs derrière Intel et quatrième fondeur de silicium, derrière TSMC, GlobalFoundries et UMC. Le géant coréen de l’électronique a conclu un accord de licence avec le fabricant franco-italien pour la fabrication de circuits intégrés en 28 nm sur des plaques de silicium sur isolant de nouvelle génération, connue sous le sigle FD-SOI (pour Fully depleted silicon on insulator).

Un succès aussi pour Soitec

"C’est une étape décisive dans l’ouverture de cette technologie pour en faire un standard sur le marché, se félicite Jean-Marc Chery, directeur général de STMicroelectronics. Samsung pourra la mettre en œuvre pour ses propres circuits ou, en tant que fondeur, pour les produits de ses clients". Cet accord de licence est le deuxième après celui conclu avec le fondeur américain GlabalFoundries en juin 2012.

La technologie FD-SOI s’impose comme une spécialité française par excellence. Développée conjointement par STMicroelectronics, Soitec (fournisseur de plaques de silicium sur isolant) et le CEA-Leti, elle se présente comme une alternative à la technologie FinFET de transistor 3D développée par Intel pour perpétuer la Loi de Moore, sans faire augmenter la consommation d’énergie. Car avec la miniaturisation, les courants de fuite grimpent en flèche, obligeant donc soit à revoir la conception des puces (comme le fait Intel en passant aux transistors 3D), soit à changer de substrat (ce que propose les français en utilisant du silicium sur isolant complètement déplété).

Un alternative à une technologie Intel

Depuis début 2013, STMicroelectronics fabrique en prototype des circuits en FD-SOI et 28 nm dans son usine de Crolles, près de Grenoble. La production de volume est prévue pour la fin de l’année. "Nous avons à ce jour 17 produits différents, dont trois conçus par les clients eux-mêmes, à fabriquer dans cette technologie", confie Jean-Marc Chery. Mais le groupe dirigé par Carlo Bozotti restait jusqu’ici isolé dans ce choix technologique. Samsung et TSMC, par exemple, ont opté plutôt pour le passage aux transistors 3D. Une option qui s’est révélée plus compliquée que prévue. "Elle représente une barrière à l’entrée plus importante, estime Jean-Marc Chery. Elle oblige à changer les méthodes de conception des circuits et à ajouter de nombreuses étapes de fabrication, ce qui augmente le coût . Elle est plus difficile à maîtriser, ce qui explique les reports par Intel de la production de ses processeurs en 14 nm." Si TSMC maintient son projet de s‘y lancer cette année en gravure de 20 nm, Samsung a reporté son lancement à la génération d‘après. Et preuve des difficultés rencontrées, le coréen a été contraint de s’allier à GlobalFoundries pour développer avec lui la technologie.

En attendant, Samsung mise sur la technologie FD-SOI pour prendre position sur les marchés émergents de objets connectés et autres produits portables banalisés. "Ici, pas besoin de grandes performances comme dans les PC ou les serveurs, explique Jean-Marc Chery. Ce qui compte c’est la consommation d’énergie et le coût. Justement deux avantages du FD-SOI, surtout si on fait fonctionner les circuits à basse tension." Des atouts confirmés par le cabinet de conseil en électronique International Business Strategies, mais sur lesquels des analystes financiers de Jefferies se montrent plutôt sceptiques.

Ridha Loukil

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